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综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40%的输入电能转化为光能，其余60-70%的能量主要以非辐射复合发生的点阵振动的形式转化热能。
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/14/274356.html2012/5/14 14:13:49
旭明光电 (纳斯达克股票代码：leds)最近宣布，该公司紫外光led芯片波长在390-420nm时， led的发光外部量子效率已达40%。
https://www.alighting.cn/news/201258/n014439514.htm2012/5/8 8:56:31
旭明光电最近宣布，该公司紫外光led芯片波长在390-420nm时, led的发光外部量子效率已达40%，即所谓的eqe，当供给电流在350ma时，输出功率大于500mw。
https://www.alighting.cn/news/20120507/113593.htm2012/5/7 16:20:55
灯(chmsl)设备。 1990年，开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的alingap技术，这比当时标准的gaasp器件性能要高出10多倍。 1994年，日本科学家中村修二在inga
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/2/273416.html2012/5/2 14:56:46
p和InGaN led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasp、gap不可能达到的性能水平。目前，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的led都达
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271818.html2012/4/10 23:38:09
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34
于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32
产技术是InGaN，但此技术仍有一些瓶颈需要克服，目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案，希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271763.html2012/4/10 23:32:00
须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271737.html2012/4/10 23:30:14
小led温升效应的主要方法，一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271732.html2012/4/10 23:29:53
