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将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

大功率led芯片的几种制造方法

大功率led器件的生产,需要制备合适的大功率led芯片,本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。

  https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37

我国半导体照明产业发展概况

本文为中国中国光协光电器件分会,彭万华先生在专利会议上精彩的演讲ppt,借新世纪led网平台分享给大家;

  https://www.alighting.cn/resource/20111202/126824.htm2011/12/2 15:40:27

led灯泡型设计需考虑的四个层面

由于led在原器件的物理特性差异,制作光源系统的观念则与传统设计大不相同,需要有更多方面的技术与专业辅助。

  https://www.alighting.cn/resource/20110412/127759.htm2011/4/12 10:05:32

蓝宝石(al2o3)等led衬底材料的选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100902/127972.htm2010/9/2 14:10:59

大功率led芯片制作方法汇总

要想得到大功率led器件,就必须制备合适的大功率led芯片。国际上通常的制造大功率led芯片的方法有如下几种。

  https://www.alighting.cn/resource/20101101/128245.htm2010/11/1 12:25:48

蓝宝石,硅 (si),碳化硅(sic)led衬底材料的选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02

山东大学大直径sic单晶研究取得突破进展

”的水平,与合作单位在sic衬底上制备的微波gan/algan hemt器件的输出功率密度达到5.5w/mm的水平,这是国产sic半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件,实现了从si

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

针对不同led照明应用的电源解决方案

高亮度led对于照明设计、全球能源节省和创新产品具有重大意义,对催生固态照明革命至关重要。这种革命需要一种整体性的途径,在这其中,led与电源转换和控制电子器件以及热管理解决方

  https://www.alighting.cn/resource/2014/3/14/15432_83.htm2014/3/14 15:43:02

浅析多种led封装形式

led 封装技术大都是分立器件封装技术基础上发展与演变而来的但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是维护管芯和完成电气互连。本文将对le

  https://www.alighting.cn/resource/2012/3/14/95735_83.htm2012/3/14 9:57:35

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