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1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的p—N结。实验指出，当电流流过led元件时，p—N结的温度将上升，严格意义上说，就把p—N结区的温度定义为led的结温。通
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261458.html2012/1/8 21:36:25
型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
子发射产生可见光。 （一）led的发展历史应用半导体p·N结发光源原理制成led问世于20世纪60年代初，1964年首先出现红色发光二极管，之后出现黄色led。直到1994年蓝色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11
4------+vf N i总=单颗led的if值 2． 并联:这种电路需要电源能提供较高的电流. v总=单颗led的vf 值 i总=各led的if之和=if1+if2+if3+if
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261418.html2012/1/8 21:27:52
中N按（7-1）计算例：一个额定输出电流为dc 0.35a，额定功率为10w电源，驱动耗散功率为70mw，正向电流为0.02a的led，可怎样配置？依以上公式可以得出 并联支数
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261397.html2012/1/8 20:27:45
一、led连接电路的常见形式1．串联：这种电路需要电源提供较高的电压。 v总=各led的vf之和=vf1+vf2+vf 3+vf 4------+vf N i总=单颗led的if
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261396.html2012/1/8 20:27:40
结.因此它具有一般p-N结的i-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向下,电子由N区注入p区,空穴由p区注入N区.进入对方区域的少
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
出。为获得好的电流扩展,Ni-au金属电极层就不能太薄。为此,器件的发光效率就会受到很大影响,通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什?N情况下,金属薄膜的存在,总会
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
度的数字转换为像素点发光的时间(d/t转换),即实现了亮度的d/a转换。 设屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为N位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),toN
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261339.html2012/1/8 20:19:40
体照明方式视场景而定。 . j* u8 g$ |3 N7 s" ~) i 室内照明利用系数法计算平均照度： 9 i0 f' mv: az( f% ]) m/ c 在平时做照
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