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底克服了集成光源基板因镀银工艺易造成硫化炭化、成本高等弊端。*采用沟槽技术，无需另设围坝。彻底免除了塑料围坝而产生开裂透气弊端，同时也减少了荧光粉和封装胶的用量。一种wfcob光
http://blog.alighting.cn/15870/archive/2014/4/9/350184.html2014/4/9 7:00:31
色 led， 发光效率可达到了25lm/w。目前，这类led的发光效率正以每年10%-20%的速度提高。 美国的gree公司 采用热导率较高的SiC衬底生产ingan 蓝色和绿
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
d。 1923年科学家罗塞夫（lossewo.w.）发现半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体p－n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00
明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
合led、大功率高亮度led，导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，为行业之最。 led芯片至封装体的热传导：采用胶体来把热量传导出去，对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00
