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测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
文章分别详细介绍平顶棚发光灯槽间隙、圆弧形顶棚发光灯槽间隙、顶棚周边发光灯槽遮光线的验证，介绍质感的验证，指导表现顶棚的造型、各种间接照明、表现墙面、泛光照明等的设计，以及卫生间
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/15/164054_95.htm2011/9/15 16:40:54
以下技术对比中将讨论线绕电阻在精密电路中的应用。不过请注意，线绕电阻没有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片电阻的应用不使用这种电阻。
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127149.htm2011/9/14 10:08:29
子的发光可以通过ce3+敏化作用使得其610nm谱线荧光强度得到有效增强;利用所制备pr3+,ce3+:yag单晶光纤荧光材料与蓝色led合成产生高效led光纤白光源,光源的色坐标
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127155.htm2011/9/14 8:52:21
用法布里珀罗标准具的透过率曲线与甲烷吸收线相互匹配的方法滤掉无用光,并通过压电陶瓷改变标准具的腔长,从而实现了差分吸收探测,进一步提高了测量灵敏度,取得了较好的结果
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-xn外
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
cob，在电子制造业里并不是一项新鲜的技术，是指直接将裸外延片黏贴在电路板上，并将导线／焊线直接焊接在pcb的镀金线路上，也是俗称中的打线(wire bonding)，再透过封
https://www.alighting.cn/resource/20110826/127251.htm2011/8/26 9:56:45
led封装方式是以晶粒(die)藉由打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板submount(次黏着技术)连结而成led晶片，再将晶片固定于系统板上连结成灯源模组。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127295.htm2011/8/18 16:47:54
针对紫外固化技术领域中新型大功率365nmUV-led光源进行了拓展性应用研究.提出了空间阵列排布实现能量累加的技术方案,给出了其优化设计原理与软件实例仿真结果.结果证明:该二
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127312.htm2011/8/15 17:13:03
