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英格索兰压缩机配件气缸为什么会早期磨损?

件气缸的金相组织不符合要求,应是小片或索氏体状的珠光体。不允许有自由结构的碳化物。二、使用维修方面: 1、机油泵压力不足使气躲藏得不到很好的润滑;2、润滑油牌号不对;过浓或过稀;3

  http://blog.alighting.cn/yasuojipeijian/archive/2010/4/22/41202.html2010/4/22 15:46:00

led技术及运用

是开发蓝光led时,碳化矽(sic)与氮化镓(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。  之前,球许多大公司皆投

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00

[原创]国内外led专利竞争情况

体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年,最小也有5年,普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大,一般在15年到2

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00

国内外led专利竞争情况

体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年,最小也有5年,普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大,一般在15年到2

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00

如果led芯片实现国产化,成本将降低30%

持;基于碳化硅衬底的led核心专利则主要被cree所垄断,严重阻碍国内led产业的发展;中国led外延片和芯片制造厂家,普遍缺乏受过良好教育与训练,有知识、有技术、有经验的高级企业管

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00

led的外延片生长技术

延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

led技术及运用

是开发蓝光led时,碳化矽(sic)与氮化镓(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。  之前,球许多大公司皆投

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

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