站内搜索
部肖特基二极管。假设一个封装为sot23的驱动器采用一个外部肖特基二极管，则除了三个led之外，总的电路板面积还约需1.5mm2。 比较所需要的电路板资源可见，电路板面积节省了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134149.html2011/2/20 23:07:00
用电路 注意：当+vled和-vled不与led连接时，请勿给电路供电。 元件列表 电路拓扑 * 开环，非隔离型反激led驱动器十分通用，而
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
口上尽可能相兼容，用户只需要将其背光源由ccfl灯管换成铝基的led发光条，同时将高压复杂的交流驱动器换成低压简单的直流驱动器即可，其综合成本与传统的ccfl背光模块相比，已经很接
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134151.html2011/2/20 23:07:00
对mg阴极薄膜影响。 2 实验 用dm-450a型真空镀膜机，在玻璃基底上蒸镀mg，ag和mg/ag薄膜，并对薄膜样品进行热处理。清洗基片时，先将其在20%的氢氧化钠溶液
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结gan蓝光led，gan基led得到了迅速的发展。gan基led以其寿命长、耐冲击、抗
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
要一个电感和一个肖特基二极管，这又额外增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00
摘要：gan具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
行放大以匹配1.25v的标准能隙基准电压，则当1a电流通过led时，电流感应电阻的功耗为1.25w。但其对整个控制环的影响不大。降低的rsns值大致抵消了增加的增益。对于增益asn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
进的白色led驱动器，它可通过mpu对电流进行控制，并集成了无源元件，从而节约了成本。linear公司推出片上集成肖特基二极管的白色led驱动器，这样，驱动电路只需两个外部电容器、一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容c1，c2，c3和二极管d1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
