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芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

京瓷推出间距0.4mm微矩阵LED显示器

京瓷开发出了在长宽6.4mm×6.4mm的底板上集成32×32个LED的“微矩阵LED”。并在“ceatec 2008”上参考展示了由上述3个微矩阵LED拼接而成的显示器。现在

  https://www.alighting.cn/news/20081008/119667.htm2008/10/8 0:00:00

产能提升价格回落 加速LED照明市场渗透

近日,韩国三星LED公司宣布推出五类输出功率超过和低于1w的高、中功率LED新品,借此正式进入LED照明市场。

  https://www.alighting.cn/news/20110301/92055.htm2011/3/1 9:21:33

四大问题叩问LED产业

进入2012年,LED产业在经历热发展、冷遭遇和降价潮之后,如何调整自身发展目标和产品战略定位?如何规避“赢在技术、输在商业”的风险?如何有效实现LED上中下游与配套产业的资源整

  https://www.alighting.cn/news/20120820/89031.htm2012/8/20 11:19:03

基于tlc5947的旋转LED屏显示控制器设计

视角360°吸引了电子狂热者的眼光。本项目是通过主控芯片stm32f103,将触摸技术与旋转LED屏幕相结合,可以实现时钟的变换,还可以利用触摸技术在旋转LED上玩一些小游戏[1

  https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:06:59

科锐第二代超大功率xhp70.2 LED实现更高光效和流明密度

科锐(nasdaq: cree)推出第二代超大功率xlamp xhp70.2 LED,比第一代产品提高9%光输出(lm)和18%光效(lm/w)。在相同尺寸内,xhp70.2比之

  https://www.alighting.cn/pingce/20170317/149037.htm2017/3/17 15:35:28

挑战出货量 广鎵今年年收预估可增8成

台湾前三大LED芯片芯片厂广鎵(8199),在今年LED供不应求的状态下,扩大生产,出货量成倍数增长。

  https://www.alighting.cn/news/20070424/96853.htm2007/4/24 0:00:00

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