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iec60969节能灯性能测试

标一般都有:---额定功率60w以下;---额定电压100v~250v;---爱迪生螺口灯头和卡口灯座。此类标准的测试要求是型式试验。会考虑成套产品测试或一批一批的测试。除了ie

  http://blog.alighting.cn/120947/archive/2012/5/29/276595.html2012/5/29 14:24:15

浅谈照明级白光led的驱动与应用

、应用要求 1、驱动电路是一种专为led供电的特种电源,要具有简单的电路结构、较小的占用体积,以及较高的转换效率。 2、驱动电路的输出电参数(电流、电压)要与被驱动的le

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133836.html2011/2/19 23:22:00

led照明亮度稳定性及节能探讨

压(电流)的大小来调节。在很大的工作电流范围内,发光二极管的亮度随电流的增大而提高。 led照明亮度稳定性 发光二极管的亮度随电流的大小而不同,且制造出来的发光二极管,其电压与电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221784.html2011/6/18 22:56:00

浅谈照明级白光led的驱动与应用

用要求 1、驱动电路是一种专为led供电的特种电源,要具有简单的电路结构、较小的占用体积,以及较高的转换效率。 2、驱动电路的输出电参数(电流、电压)要与被驱动的led的技术参数相匹

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230288.html2011/7/19 23:42:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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