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来,在70年代被应用在高压汞灯中,主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后,该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料,由于在led器件中对荧光粉的要求不完全等同于上述两种器件的要
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发光二极管led (light emitting diode)是一种可将电能转换为光能的能量转换器件,具有工作电压低,耗电量少,性能稳定,寿命长,抗冲击,耐震动性强,重量轻,体积
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.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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率和多个led应用的场合,热量积少成多而不能小觑,led不同于白炽灯、荧光灯等传统照明光源,过高的温度会缩短,甚至终止其使用寿命。而且led是温度敏感器件,当温度上升时,其效率急
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情况：在焊接ic器件时,固化后,所有的引脚还落在焊盘上,但经过波峰焊后ic引脚会出现移位甚至离开焊盘并产生焊接缺陷。因此,要保证焊接品质,应坚持每个产品均要做温度曲线,而且要认真做
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范措施。静电在led显示屏生产过程中的危害如果在生产任何环节上忽视防静电,它将会引起电子设备失灵甚至使其损坏。当半导体器件单独放置或装入电路时,即使没有加电,由于静电也可能造成这些器
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积
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化钯膜中的电子会被牵引出来,形成电子发射。由于金属电极是沿着同一块玻璃基板排列,所以刚发射出来的电子是在玻璃基板表面传导的,这是这种器件被命名为表面传导电子发射显示器的原因,这
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之而来的是各种结构的量子阱光电器件很快从实验室进入商用化。金属有机化学汽相淀积(mocvd)是在汽相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用ⅲ族、ⅱ族元
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