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利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
间更紧密，产出效率高、产能高，同时成品led器件的可靠性也大大提
https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
led光效是衡量光电转换器件是否节能的一个重要因素，如何提高led光效使其达到节能的效果，本文从透明衬底技术、金属膜反射技术、表面微结构技术、倒装芯片技术四个方面介绍了提高led
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/21/113338_44.htm2011/10/21 11:33:38
scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
据美国led厂cree指出，其光效达140lm/w的商用照明器件将迈入量产，若以140lm/w量产等级来看，组装为led球泡灯后，发光效率可达70~80lm/w，将正式超越省电灯
https://www.alighting.cn/news/20111021/n145635153.htm2011/10/21 9:29:31
