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谩ｄ壳埃?世界各国航标生产厂商对led航标灯光参数的定义仍沿用出射面的光强度和垂直??散角两个指标。led单体器件在作为光源应用时,通常都带有一定角度的视角,即在既定的视角范围内保
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230080.html2011/7/18 23:22:00
1 散热技术传统的指示灯型led 封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250～300 ℃
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
光,又在器件输入功率上有很大提高。目前单芯片1w 大功率led 已产业化,3w、 5w, 甚至10w 的单芯片大功率led 也已推出,并部分走向市常这使得超高亮度led 的应用面不
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色一致。由于led是半导体器件,相比其他光源,它具有独特的特性,其中最显著的是电流和光强度之间的非线性关系。图1显示一些典型led的这种关系。图1一些典型led的电流和光强度之
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来,在70年代被应用在高压汞灯中,主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后,该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料,由于在led器件中对荧光粉的要求不完全等同于上述两种器件的要
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发光二极管led (light emitting diode)是一种可将电能转换为光能的能量转换器件,具有工作电压低,耗电量少,性能稳定,寿命长,抗冲击,耐震动性强,重量轻,体积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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率和多个led应用的场合,热量积少成多而不能小觑,led不同于白炽灯、荧光灯等传统照明光源,过高的温度会缩短,甚至终止其使用寿命。而且led是温度敏感器件,当温度上升时,其效率急
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情况：在焊接ic器件时,固化后,所有的引脚还落在焊盘上,但经过波峰焊后ic引脚会出现移位甚至离开焊盘并产生焊接缺陷。因此,要保证焊接品质,应坚持每个产品均要做温度曲线,而且要认真做
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