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验曲线达到了准确的吻合.结果表明:外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度,从而对样品质量作出详细的分析
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明in组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
分析sapmac法生长大尺寸蓝宝石晶体的工艺技术,并对制备的晶体质量进行了检测与分析.研究结果表明:采用sapmac法生长的蓝宝石晶体结构完整,fhwm值很小,只有11arcse
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52
、发光效率与芯片工作数量的关系。结果表明集成封装的多芯片白光led结温随着集成芯片数量的增加成线性增长,芯片到基板底面的热阻随着芯片工作数量的增加而增大,而其发光效率随着集成芯片数
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127237.htm2011/8/29 17:02:03
该结构进行运动学分析,得到该结构运动过程中的最大加速度,将该结果倒入cosmosworks软件对该结构进行静态分析,发现芯片拾取臂的振动问题主要是由于弹簧片的刚性不足引起,适当增加弹
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127270.htm2011/8/22 15:26:11
