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i的linkswitch-tn lnk306dn集成功率转换ic中含有一个完全集成的700 V功率mosfet，因而无需外部电源器件。离线式非隔离降压拓扑结构可以在连续导通模式下以66 kh
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133848.html2011/2/19 23:29:00
c85V～ac240V电压输入； 2、输出电流恒定，电流大小可由外围电路整定，且恒流精度高； 3、效率高，在纯阻性负载情况下，效率高达95%。 4、可驱动led个数多，可
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133846.html2011/2/19 23:28:00
格，一般把单个led电流控制在15～25ma。 大多数便携设备采用锂电池供电。锂电池的放电区间是3.2～4.2V左右，而白光led在正常工作时所需的正向电压在3.2～3.8V之
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133845.html2011/2/19 23:27:00
止负载短路时瞬态电流过大，损坏元器件。 (5)峰值电压采样电路，为显示电路提供0～5 V范围的峰值电压采样值。 (6)辅助电源，为控制电路、驱动电路和显示电路提供电源。电源整机电
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133840.html2011/2/19 23:23:00
压是230V，可以用较小的频率；北美的电压是120V，因此选择100 khz是一种好的折中方案。电路中的振荡电阻可以通过下式计算：fosc=22000／(rosc+22)式中，ros
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00
电，所以到2006年底以前，总耗电量将会降低到230w左右(270w x 15％)，如果再加上能够提升背光模块技术的话，就有机会将背光模块的耗电量降低40％，如此一来总耗电量就将
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133831.html2011/2/19 23:20:00
代，1963年pope报道了蒽单晶片在400V电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的oled后，oled技术才引起各国专
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对较低。最简单的方法是使用电阻限制led的电流，但该方法并不适合采用额定电压为12V或24V电池的系统，因为电池的实际电压是从6V至18V或12V至36V。因此，如果需要保持亮
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路开关频率的计算 开关频率决定了电路中电感的大小，大的频率可以使用较小的电感，但这会增加电路的损耗。典型的频率应在20～150khz左右，欧洲的电压是230V，可以用较小的频率；北
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. 可以控制3路led，通过寄存器设定方式可以产生出128种彩色出来。d. 由于利用了人眼的间歇特性，进行pwm扫描，让实际需要电流变得更小。e. 芯片供电3.3V~7V宽范围供
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