检索首页
阿拉丁已为您找到约 3526条相关结果 (用时 0.0109563 秒)

透视国内led照明产业发展质量

业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258464.html2011/12/19 10:54:49

新光源期待新动力——我国led照明产业发展质量透视

”全国高科技企业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉记者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。 从国

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258514.html2011/12/19 10:57:23

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

led生产中的六种技术

有一定的要求,通常都需要有大的带宽差和在材料的折射指数上要有很大的变化。不幸的是,一般没有天然的这种材料。用同质外延生长技术一般都不能形成所需要的带宽差和折射指数差,而用通常的异

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

新光源期待新动力——我国led照明产业发展质量透视

”全国高科技企业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉记者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。 从国

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261551.html2012/1/8 21:49:42

首页 上一页 265 266 267 268 269 270 271 272 下一页