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识和整理是我们今天最缺乏的，也是照明设计在高速发展中可以长大，但还很虚弱的根本原因，有点像无本之末。 照明设计行业方兴未艾，新生力量不断加入使这个行业，每天都出现新的面孔，老资格一
http://blog.alighting.cn/XUNING196622/archive/2011/10/27/248980.html2011/10/27 10:16:11
目前功率元件中使用的硅晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示，“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20
https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46
这是一个葡萄酒公司的物流中心，采用物流行业常见的集装箱作为立面构架主要要素。这无疑是一个超大型的红酒架，12宽，60米长，醒目的屹立在高速公路旁，吸引着大家的注意。集装箱上表
https://www.alighting.cn/case/2011/10/25/172848_08.htm2011/10/25 17:28:48
团。 光伏产业：高回报率引导需求回升 中国光伏政策有望在年底明确化,在供给端方面,预估将对多晶硅产业设立高门槛准入标准。需求端部分,国内在建及规划的电站规模迅速扩大,印
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248617.html2011/10/25 17:23:39
及广州亚运会基础设施建设的拉动,中国照明产业进入一轮新黄金时期。世界银行预计,到2015年,全球一半的楼宇和建筑工程将在中国进行,拉动中国照明业高速发展。此外,随着城市光亮工程的兴
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248615.html2011/10/25 17:23:32
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
一、招标项目概况： 项目名称：京承联络线（西统路-京承高速）4标段交通照明工程 项目地址：密云云西地区 建设规模：约1.05公里 招标范围：施工图纸范围内（桩号k6+75
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/10/25/248425.html2011/10/25 9:38:39
1arcsec。硅衬底gan led理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
