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高亮度led是经过特殊处理的pn结半导体器件，正向偏置时可发出白光、红光、绿光或蓝光(也可能产生其它颜色光). 近几年，高亮度led(hb led)在各种照明系统中作为光源日益受
https://www.alighting.cn/2013/9/12 13:43:46
作。进行了详细的阐述。测试结果为中心亮度11,230nits、整体功耗178w 、均匀度96.26%、色彩还原性达到ntsc标准的128.15%.远远超过了ccfl背光源的70%
https://www.alighting.cn/resource/20130802/125425.htm2013/8/2 11:49:36
路及街头绿地宽度3.5米，分别安装71套10米高led太阳能路灯及10套3.2米高led太阳能庭院
https://www.alighting.cn/case/20160414/42262.htm2016/4/14 17:09:20
https://www.alighting.cn/case/20160414/42263.htm2016/4/14 17:15:58
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
在无线传感器网络（wsn）领域中，多数人看好的是zigbee，毕竟zigbee有国际标准ieee 802.15.4为其技术根基，且目标市场较广、潜在需求用量较大。相对的，丹
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:58:29
本文主要研究侧光式背光模组中导光板的设计.作为模组中最关键的部分，如何利用导光板将led这种点光源转化成均匀的面光源，同时保证必要的光能量利用率，是背光源面临的两大议题。尤其在
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125681.htm2013/4/23 11:44:30
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
于2008年2月15日依次发售。灯具的亮度与60w白炽灯相当，预计零售价格为2.38~3.10万日
https://www.alighting.cn/news/2008220/V14055.htm2008/2/20 10:42:01
