站内搜索
.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
后,将方向的晶种渐渐注入液中,接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到一定(约6mm),维持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差(dislocation),此种零排
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
g或掺zn生长n型与p型薄膜材料。对于ingaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元素流量通常为(1-5)×10-5克分子,v族元素的流量为(1-2)×10-3克分子。为获得合适的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
能保持较高发光效率是led白光照明中的一个重要的课题。3)灯具系统的二次光学设计传统灯具长期以白炽灯、荧光灯光源为参照物来决定灯具的光学和形状的标准,因此led灯具系统应考虑摒弃传
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00
热分析(dsc),鉴定黏合剂性能。2、光固化当采用光固化胶时,则采用带uv光的再流炉进行固化,其固化速度快且品质又很高。通常再流炉附带的此外灯管功率为2-3kw,距pca约10cm高
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00
题,就在于反应时 间,目前rgb灯大部分的反应时间约为4-8ms,他表示,如果有一天到大卖场去看,所有的rgb灯的反应时间可以到1-2ms,那么rgb灯的时代也即 将到来。不过,他
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229943.html2011/7/17 23:27:00
仅驱动一个led就需要5到10ma的电流。低功耗对于使用电池供电的设备而言,具有相当大的意义。 从电气特性上看,el灯片具有阻容特性,等效电路如图1,电容容量通常是2到6nf/in
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00
2)在焊接时,电烙铁应尽可能采用防静电低压恒温烙铁,并保持良好的接地性。(3)在组装过程中,尽可能使用有接地线的低压直流电动起子(俗称电批).(4)保证生产拉台、灌胶台、老化架等有
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
为0．2-0．3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn 结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,led的发光强度会相应地减少1％左
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
