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面所说的1w的led，也就是1.155x0.7=0.8w变成无用的热需要散发出去。 那么是不是知道了所有各部分的热阻，我们就可以知道这个led灯具的总热阻，也就可以知道led芯
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267559.html2012/3/12 19:18:18
五、热管导热 在很多场合需要把led所产生的热量以最快的速度传送到散热器，这在采用集成式的单片大功率led中尤其重要，因为它的热量很大(功率可达50W-100w)又很集
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267558.html2012/3/12 19:18:11
常在1.7-3.2°c/w。 而采用全胶的铝基板的热阻可以做到0.05°c/w，市场出售的商品也可以低至0.2-0.5°c/w。 一种性能更好的铝基板是采用直接在铝板上生成陶
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267557.html2012/3/12 19:17:56
艺，表面平整度可以0.3um，不会有氧化物生成，附着性好，电路精细，误差低于+/-1%。它实际上是采用照相刻蚀的方法来制作，采用氧化铝为基底的薄膜电路制备的具体过程如下： 图6
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267556.html2012/3/12 19:16:29
外因为led不可能采用透明泡壳，而只能采用乳白泡壳。其透光率大约为85%。二者相乘等于0.72。.考虑以上因素以后就可以得出和白炽灯相当的瓦数来。由表中可见，led2在同样亮度时大
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267553.html2012/3/12 19:05:19
形，从而降低了其功率因素值(通常低于0.5)，因此可控硅调光大大降低了led的系统效率。而且可控硅调光的波形加大了谐波系数，非正弦的波形会在线路上产生严重的干扰信号(emi)污染电
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/3/12/267517.html2012/3/12 11:31:28
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267452.html2012/3/10 10:32:04
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267448.html2012/3/10 10:15:47
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267447.html2012/3/10 10:15:29
