外延晶圆-阿拉丁站内搜索引擎

业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271158.html2012/4/10 20:58:12

　在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271424.html2012/4/10 21:43:20

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

入国家中长期科技发展规划与“十一五”国家“863”高新技术产业化重大项目并给予大力支持。然而，我国目前led产品开发应用领域依然存在不足。我国自产的led芯片,外延片产量仍有限,与国

http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272309.html2012/4/17 17:10:30

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

　在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275044.html2012/5/20 20:21:43