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Led芯片的技术和应用设计知识

较于白炽灯、紧凑型荧光灯等传统光源,发光二极管(Led)具有发光效率高、寿命长、指向性高等诸多优势,日益受到业界青睐而被用于通用照明(generaL Lighting)市场。

  https://www.alighting.cn/resource/20130929/125279.htm2013/9/29 10:22:11

倒装大功率白光Led热场分析与测试

合。在此基础上,保持电流密度不变,研究芯片尽寸与结区温度的关系,计算出在当前的发光效率和封装结构条件下,由于散热条件的限制,芯片能承受的最大功率和能达到的最大尺

  https://www.alighting.cn/resource/2009313/V778.htm2009/3/13 10:51:32

芯片大小和电极位置对gan基Led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基Led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基Led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基Led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基Led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基Led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基Led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基Led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基Led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基Led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基Led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基Led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

东莞欲借cec东风与中山分割Led商流

近日,东莞市透露我国最大的国有it企业——中国电子信息产业集团决定在虎门投资45亿元打造中国电子东莞产业基地,并投资5亿元在松山湖建设交易、配送中心。目前还正在与cec集团旗下上

  https://www.alighting.cn/news/20101115/100696.htm2010/11/15 11:49:08

提高取效率降热阻功率Led封装技术

超高亮度Led的应用面不断扩大,首先进入特种照明的市场领域,并向普通照明市场迈进。由于Led芯片输入功率的不断提高,对这些功率Led的封装技术提出了更高的要求。功率Led封

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00

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