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利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
择。笔者的看法是：采用多芯片与散热器整体封装比较好，或采用铝基板多芯片封装再通过相变材料或散热硅脂与散热器相联接，做出的产品热阻比用led器件组装的产品的热阻要少一至二道热阻，更利
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/9/17/236631.html2011/9/17 14:15:26
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
应用一种新颖的无损伤测量技术-连续波电光检测法(cweop)对gaas/gaalas单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量.实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127134.htm2011/9/16 14:25:52
第八轮发布器件数据由国家半导体器件质量监督检验中心(中电科第十三所)测试提供，数据包括20ma下绿光光源测试结果、 350ma下绿光光源测试结果、670ma下白光光源模块、24
https://www.alighting.cn/news/20110915/100074.htm2011/9/15 13:56:29
经过2010年60% 的高速增长，ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓，仅增长1% 至87亿美金。主要原因有：占据 60% GaN led营收的背
https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49
