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合物半导体，gan层属于近紫外led活性层，因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaaS、znSe等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。 图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前，hi-led上几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
度限值。表1罗列了针对一个高电流白光led的典型正向电压与驱动电流的相互关系。 在单个led至三个（串联）led的应用中，将需要一个降压型led驱动器（比如：凌力尔特的lt347
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
d的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，led的发光强
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
却方式下太阳电池工作温度随光强的变化规律。 1数学物理模型的建立 1．1太阳电池的电学特性方程 如果在太阳电池两端接上一个负载电阻ri，那么太阳电池在工作状态下的等效电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
1 复杂可编程逻辑器件概述 复杂可编程逻辑器件(cpld)最早出现于80年代后期,由于其高速、设计灵活、成本低、延时可预测等特点,一经面世便得到广泛的应用。世界各主要pl
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134093.html2011/2/20 22:15:00
我们在研制一个阵列信号处理系统中，由于阵列天线必须放置于四周开阔地带，而阵列信号处理单元位于圆形陈列天线中央位置，这就需要在阵列信号处理单元与位于1～2km以外的微机之间进行双
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134091.html2011/2/20 22:14:00
1 引 言 动态显示多采用专用芯片8279扩展键盘和led显示器，该方式可实现键盘的中断方式或查询方式输入，但体积和功耗都较大。其他方式的扩展则难以实现动态显示，并且编程复杂，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134089.html2011/2/20 22:12:00
大的差距，同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年，但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器，像素密度达到5-6个／mm2。表
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134090.html2011/2/20 22:12:00
它产品需求十分巨大。2002年，仅广东和深圳用于制造出口太阳能草坪灯消耗的太阳能电池就达到2mw，相当于当年国内太阳能电池产量的1/3，今年仍然保持强劲的发展势头，这是人们没有预
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