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试设定值vf、ir、死灯不良率, 切脚后做取良品做浸锡实验10次,观察其颈部收缩状况(须先将材料除湿)。比对数据变化 信赖性实验建议做:冷热冲击实验（供参考：500次，-40~
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00
种led的基本性能，给读者作个参考。1、亮度 led的亮度不同，价格不同。用于led灯具的led应符合雷射等级ⅰ类标准。2、抗静电能力 抗静电能力强的led，寿命长，因而价格高。通
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
体驱动电压1.5～4v，工作电流10-18ma，响应时间微秒级，可高频操作。同样照明的效果下，其耗电量是白炽灯泡的八分之一、荧光灯管的二分之一。就桥梁护栏灯为例，同样效果的一支日光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
随着半导体技术的飞速发展，对封装材料的要求也越来越高，以前应用的普通环氧树脂已不能完全满足技术要求。目前国外对环氧树脂的技术改进主要集中在以下两个方面。 1、低粘度化 用环氧树
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
出三个系列的高效低光衰红色荧光粉。 1硫化物系列红色荧光粉 该系列荧光粉以二价铕作为激活剂，在紫外、紫光和蓝光的激发下发射出峰值波长大于600nm的宽带发射。图1为不同铕含量下硫化
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结gan蓝光led，gan基led得到了迅速的发展。gan基led以其寿命长、耐冲击、抗震
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
常小巧的整体解决方案尺寸使其非常适合移动手持终端与便携式背景照明应用。 该器件的工作温度 tj 规定在 -40°c ～ +85°c的整个范围内。 具备 2% led 到 le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
法。下面是关于led未来外延片技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
led萤光粉配胶程序是led工艺中，相当基础的一环，我们来看看是怎么做的。 准备工作： 1、开启并检查所有的led生产使用设备（烤箱、精密电子称、真空箱） 2、用丙
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120543.html2010/12/13 23:02:00
