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发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p- n结的i-n特性，即正向导通，反
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
正向电压：通过发光二极体的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。 反向电流：加在发光二极体两端的反向电压为确定值时，流过发光二极体的电流。 峰值波长：光谱辐射功率最
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126772.html2011/1/9 21:09:00
系。在电源接通时，随着散热器温度的升高，led的反向饱和电流迅速升高。通过线性拟合，得到大功率led照明系统的光通量温度系数、驱动电压温度系数和光效温度系
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125762.htm2013/4/3 11:33:10
量的谐波干扰。同时，由于变压器的漏感和输出二极管的反向恢复电流造成的尖峰，都形成了电磁干扰。开关电源中的干扰源主要集中在电压、电流变化大的元器件上，突出表现在开关管、二极管、高频变压器
http://blog.alighting.cn/114975/archive/2012/7/21/282856.html2012/7/21 11:15:16
性和一致性。 3. 反向漏电流测试：反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值，生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起led反向漏电流过高，这会给led应用产品埋下极大的隐患，在使
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91270.html2010/8/18 20:28:00
户必须要知道自己所使用的led光通量在哪个范围，这样才能保证自己产品亮度的均匀性和一致性。 2.反向漏电流测试：反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值，生产过程中由于静电
http://blog.alighting.cn/joomle/archive/2010/11/16/114408.html2010/11/16 10:30:00
性。 3. 反向漏电流测试：反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值，生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起led反向漏电流过高，这会给led应用产品埋下极大的隐患，在使用一段时
http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/10/27/249004.html2011/10/27 11:26:08
定的电压下要低于要求的值，生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起led反向漏电流过高，这会给led光源应用产品埋下极大的隐患，在使用一段时间后很容易造成led死灯。3、正向电压测试：正
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/9/22/358172.html2014/9/22 18:00:04
-800.0ma； ◎ 正向电压(vf)：0.01v-20.0v； ◎ 反向电流(ir)：0.1μa-200μa； ◎ 反向电压(vr)：0.01v-20.00
http://blog.alighting.cn/zsguihe/archive/2009/5/23/3597.html2009/5/23 21:26:00
