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led外延片生长基本原理

led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

福日电子成功收购中诺通讯100%股权 led外延芯片扩张业绩飙涨”

福日电子日前公告称“经中国证监会上市公司并购重组审核委员会2014年第70次工作会议审核,公司发行股份购买资产暨关联交易事项获得无条件通过”,这就意味着公司定向增发收购中诺通讯10

  https://www.alighting.cn/news/20141208/110338.htm2014/12/8 9:46:03

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

从led工作原理可知,外延片材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

苏州led外延芯片厂投产开业

公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为己任,以创建国际一流企业为愿景,拥有1000级到10000级的现代化洁净厂房,数百台(套)国内外最先进的led外延片长和芯片制造设

  https://www.alighting.cn/news/2011530/n276532353.htm2011/5/30 20:13:05

gb/t 14015-1992 硅—蓝宝石外延

本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。

  https://www.alighting.cn/news/20110729/109884.htm2011/7/29 15:50:28

利用三步法mocvd生长器件质量的gan

在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43

mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

led产业自主生产能力提升 形成完整产业链

经过30多年的发展,中国led产业在经历了买器件、买芯片、买外延片之路后,目前已初步实现了外延片和芯片自主生产,形成了较为完整的产业链。

  https://www.alighting.cn/news/20090116/93117.htm2009/1/16 0:00:00

mocvd外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

新海宜计划投资1亿元 预年产50万片led外延

新海宜10日披露配股融资计划。其募资投向包罗了led、电子商务、移动互联网手游和4g等多个热门概念,试图追赶新经济的步伐。公司股票12日复牌。

  https://www.alighting.cn/news/20130812/112218.htm2013/8/12 10:16:57

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