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有一些高亮度led芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有的生产，就是利用新改良的溶解(laserlift-o)及金属黏合技术(metalbon
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
led背光源与ccfl背光源在结构上基本是一致的，其中主要的区别在于led是点光源，而ccfl是线光源。从长远的趋势来看，led背光技术作为一种替换型的技术产品存在肯定会慢慢的普及
https://www.alighting.cn/resource/20131204/125044.htm2013/12/4 10:14:32
led广泛用于大面积图文显示幕，状态指示、标志照明、信号显示、汽车组合尾灯及车内照明等方面，被誉为21世纪新光源。但在芯片制作，去胶，封装等过程中存在着许多问题需要人们解决。等离子
https://www.alighting.cn/resource/20120112/126760.htm2012/1/12 9:26:05
认对led在封装过程中存在的杯内汽泡,本文提出了几种实用的改善方案,并对每一种方案优、缺点及适用性进行了较详尽的论述，对 led封装有一定的指导作用。
https://www.alighting.cn/resource/20110526/127545.htm2011/5/26 13:59:39
从芯片的演变历程中发现,各大led生产商在上游磊晶技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可能产
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127971.htm2010/7/12 16:48:04
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的gan led与mocvd法制备的led进行
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
半导体封装之主要目的是为了确保半导体芯片和下层电路间之正确电气和机械性的互相接续，及保护芯片不让其受到机械、热、潮湿及其它种种的外来冲击.选择封装方法、材料和运用机台时，须考虑到l
https://www.alighting.cn/resource/20100412/129028.htm2010/4/12 0:00:00
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热点
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initial t
https://www.alighting.cn/resource/20161102/145726.htm2016/11/2 14:00:34
本文围绕大功率led封装的光学仿真设计和制造工艺中的若干关键问题进行了研究并取得了以下成果： 对大功率led芯片中各层材料的光学参数进行了系统的分析和总结,将粗糙表面引起的光散
https://www.alighting.cn/resource/20130723/125442.htm2013/7/23 11:41:57
