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硅衬底gan基led外延生长的研究

延片,其外延片的总厚度约为1.9μm。采用高分辨率双晶x-射线衍射(dcxrd)、原子显微镜(afm)测试分

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

gan基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-led外

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

led 外延芯片和外延工艺

led 工作原理可知,外延材料是led 的核心部分,事实上,led 的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。

  https://www.alighting.cn/2013/3/22 13:51:32

led背光技术与ccfl背光

光屏的色彩表现胜于ccfl;出现在白色led背光的不足之

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/16267_54.htm2013/3/20 16:26:07

商场、超市内外的灯光与照明设计

每一种商场照明系统都应该是有助于完成某种功能。它应引导顾客进入商场,把顾客的注意吸引到商品上,应能创造舒适的购物环境,刺激顾客购买欲望。满足顾客及服务人员店内店外走动时的安全需

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/143356_16.htm2013/3/20 14:33:56

oled器件光电性能集成测试系统研制

介绍了计算机与各测试设备的通信方法,通过计算机控制测量仪器对oled器件进行测量。使用了microsoft visual 2005开发工具,利用mfc(microsoft foun

  https://www.alighting.cn/2013/3/20 10:44:26

我国超高亮度led外延芯片国产化的回顾与展望

来自中国光协光电(led)器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望,不错的资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详情。

  https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09

具有纳米凹坑氧化铟锡的led光提取效率的提高

本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子显微镜(afm)对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的i-v特性、出光功率和出

  https://www.alighting.cn/resource/20130319/125863.htm2013/3/19 10:05:03

大功率led的散热设计

led 是个光电器件,其工作过程中只有15%~25%的电能转换成光能,其余的电能几乎都转换成热能,使led的温度升高。在大功率led 中,散热是个大问题。

  https://www.alighting.cn/resource/20130314/125887.htm2013/3/14 11:55:41

有机电致发光显示器件oled简介

由华嘉光电技术有限公司的姚华文所整理的《有机电致发光显示器件oled简介》,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130313/125899.htm2013/3/13 10:11:17

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