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从发光二极管(led)的发光原理及结构出发,建立了led的光学模型,获得了它的光强分布曲线,并与实际测量数据进行了比较。通过改变模型中反光碗的张角、支架的插入深度、封装环氧树脂折
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127271.htm2011/8/22 14:50:40
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
一般最简单的led具有如图1(a)所示的5mmled结构，而lumileds公司的封装称其为luxeon。
https://www.alighting.cn/resource/2008111/V13667.htm2008/1/11 10:12:17
使用常规实验仪器搭建了led特性测试系统，测试了led的伏安特性、光强分布特性、光谱特性、光功率与电流关系特性和发光效率与电流关系特性，得到了led的阈值电压、正常电压、发光波长、
https://www.alighting.cn/resource/20140422/124652.htm2014/4/22 10:00:19
研究了led的高速调制特性,提出了电流限制层结构,在led器件的驱动电路上增加一对并联的rc元件的新的设计思想,该技术在工艺上很容易实现且在改善高速led性能方面有实际应用价值。
https://www.alighting.cn/2013/5/16 11:50:13
本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理，是不错的led外延芯片基础知识，共享于此，希望可以帮助大家学习!
https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34
https://www.alighting.cn/resource/20051102/128458.htm2005/11/2 0:00:00
研究表明:在选择粒径为720nm的ps球、刻蚀剩余粒径为240nm、金属膜厚度为120nm的条件下,满足cie红光显示标准的共振波长为704. 06nm,强度透射率为52%,透射谱
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123515.htm2015/3/6 9:38:38
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
源取代传统真空光源如同晶体管取代传统真空电子管一样是破坏性技术创新，将引起照明领域的一场革命。本文的主要工作是研究白光led及相关的工艺技术，取得的成果颇丰，详见文
https://www.alighting.cn/resource/2012/1/12/161459_04.htm2012/1/12 16:14:59
