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algainp四元系发光二极管一般使用gaas衬底，由于gaas衬底的禁带宽度比algainp窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸
https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00
块外面，加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去，造成散热不良导致led磊晶光
https://www.alighting.cn/resource/2014/2/11/135550_31.htm2014/2/11 13:55:50
点，研制了led封装质量非接触检测实验平台，完成了芯片、固晶、焊接质量影响的模拟实验，证实了方法的可行性，并开发出了实际样
https://www.alighting.cn/resource/2009921/V20984.htm2009/9/21 10:20:15
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或gan长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
https://www.alighting.cn/2014/5/20 10:34:58
日前，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125706.htm2013/4/18 10:41:13
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
介绍了一种应用远程激发技术的大功率集成led光转换光源,通过使用固晶区无绝缘层的镜面铝基板进行集成封装蓝光led光源,即cob光源。所制蓝光光源与远程激发荧光粉模块结合制成led
https://www.alighting.cn/2012/9/18 18:55:48
led 行业要求其晶片在晶向、纯度、弯曲度、翘曲度、总厚度偏差、粗糙度、洁净度诸项指标上均达到严格的质量标准。某些线性晶体缺陷，例如小角度晶界或材料微观尺度取向的改变，能够
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:20:04
