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韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
中镓半导体的1亿元产值，即便在东莞也不算多。led产业已列入广东省战略性新兴产业。去年，东莞led产业产值突破了80亿元。不过，这个微小数字背后，却是led产业中第三代半导体材
https://www.alighting.cn/news/20110907/100043.htm2011/9/7 12:05:46
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
d照明的需要正疾速晋升，给有关的稀有金属资料需要带来无穷机缘。led的中心资料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光资料。当前，根据宽禁带半导体资料氮化
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
爱思强股份有限公司8月14日宣布，台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统，将用于在6英寸的硅基材上生长氮化镓外延结
https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41
担的“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予2500.3万元的资
https://www.alighting.cn/news/20140731/111070.htm2014/7/31 9:11:20
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
万景纳米氧化钛 vk-t02用在化妆品中，具有很好的防晒效果 紫外线是太阳光中对人体危害较大的一种光波。过度照射紫外线,会使皮肤产生红斑、黑斑,使皮肤老化,严重的会引发皮肤
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120317.html2010/12/13 10:37:00
半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00
