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响。2012年12月，“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”荣获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，这是国家对硅衬底led技术的高度肯定与支持。同时，晶能光电实现硅衬底大功率le
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53
晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。
https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（gan）和铟氮化镓（ingan）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(gan)单晶薄膜的gan模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
8 mv的基准电压电路的设计过程和仿真结果,设计了一种基于双极型、互补型、双扩散金属氧化物半导体(bcd)1.6μm工艺的功率led照明驱动芯片以验证低反馈电阻技术.系统仿真结果表明
https://www.alighting.cn/resource/20130510/125619.htm2013/5/10 10:28:08
控外观质量。表面可以阳极氧化各种靓丽颜色，流线型的外观设计符合现代流行的审美观念。散热性： 散热性能比同类型压铸产品提高1.5倍、常规铝型材不能生产材 质： 1070纯铝工
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/10/316891.html2013/5/10 10:13:11
c12材料成分由多种合金元素组成，尤其含有大量的硅元素，导热系数仅仅96w/m.k,由于adc12硅元素含量极高，表面无法进行阳极氧化，表面处理只能喷漆，电镀等着色，散热器表面热
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/10/316890.html2013/5/10 10:12:16
用白色led业务。 东芝与普瑞光电正在共同开发基于普瑞光电的gan-on-si(硅基氮化镓)技术的白色led芯片。东芝于2012年12月推出了采用该芯片的照明用白色led灯。为
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/4/29/315893.html2013/4/29 8:55:24
个简单的知识点：铝材的发射率：0.05（抛光处理）/0.07（粗糙处理）/0.25（强氧化处理）铜的发射率：0.01（抛光处理）/0.65（氧化处理）/0.88（氧化至发黑）四次方定
http://blog.alighting.cn/888/archive/2013/4/27/315728.html2013/4/27 10:27:00
部(项目投资额1.5亿元)，开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(gan)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
