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晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。
https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05
研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的led而言，这种增长非常可观。
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54
日本住友金属矿山公司于2012年11月15日宣布，已在其全资子公司大口电子(日本鹿儿岛县伊佐市)设置了150mm(6英寸)直径蓝宝石基板的生产线，并已开始量产。生产能力为1万块/月
https://www.alighting.cn/news/20121119/n420745901.htm2012/11/19 11:30:14
研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结构
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵向分
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种led的反
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
