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利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布，其位于南韩天安(cheonan)的三甲基镓(tmg)新厂已
https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00
造商广镓光电（huga optotech）合资成立一家新公
https://www.alighting.cn/news/20090723/117355.htm2009/7/23 0:00:00
台湾led芯片制造商晶元光电（epistar）已宣布，该公司计划与广镓光电（huga optotech）达成战略联盟，并持有其47.88%的股份，以成为第一大股东。
https://www.alighting.cn/news/20100601/118328.htm2010/6/1 0:00:00
台湾led芯片制造商广镓光电（huga optotech）与led封装公司艾迪森光电（edison opto）陆续公布8月份营收，均已创下历史近高点。
https://www.alighting.cn/news/20090914/118869.htm2009/9/14 0:00:00
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
自2011年以来，50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨，而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间，将借更优异的材料特
https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31
氮化物荧光粉绿色低成本技术的成功开发，将极大促进大功率led照明器件及背光源显示等成本的降低，并将大规模加快我国半导体照明技术推广的进程。目前该技术已经申请了中国发明专
https://www.alighting.cn/news/2011928/n709534755.htm2011/9/28 8:47:39
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
