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对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行表征。研究了eu3+、gd3+的掺杂浓度、表面活性剂的加入、煅烧温度对样品性能的影
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制
https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
、电解电容与陶瓷电容;4、功率管之三极管与mos管，集成与外置;5、设计与焊接工艺;6、高温与常温老
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/22/161242_91.htm2013/5/22 16:12:42
led(发光二极管)作为一种新型光源，由于具有高效节能、绿色环保、使用寿命长等诸多优点，近年来发展迅速，并成为照明领域研究的热点。本文设计了一种以at89s51单片机为核心的红
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125587.htm2013/5/21 11:00:32
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
研究了led的高速调制特性,提出了电流限制层结构,在led器件的驱动电路上增加一对并联的rc元件的新的设计思想,该技术在工艺上很容易实现且在改善高速led性能方面有实际应用价值。
https://www.alighting.cn/2013/5/16 11:50:13
常见背光方式：led(发光二极管)和ccfl(冷阴极荧光灯)。lcd目前较常采用ccfl作为背光光源，但因ccfl背光驱动线路复杂，要求驱动电压高及演色性能力等因素，再加上背
https://www.alighting.cn/2013/5/16 10:51:30
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
