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oleD显示屏接口电路的设计

行接口与显示模块连接。当系统需要访问该接口控制电路时,只需将mpu的数据口与系统数据线相连即可。该系统驱动程序包括初始化、清ram和显示3

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125579.htm2013/5/22 13:22:27

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

leD驱动器输出纹波和噪声的测量方法

文章浅析了leD驱动器的输出纹波和噪声,给出常见的3种测量方法,通过比较分析确定准确的测量方法。

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125600.htm2013/5/15 14:25:54

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrD)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

高效高亮度有机红色微腔发光二极管

0 nm.与无腔器件相比,微腔器件光谱半峰全宽(fwhm)从92 nm压缩为32 nm,色度从x=0.58,y=0.41改善为x=0.6,y=0.4,微腔器件的最大发光效率为3 .

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11

郑州会展宾馆建筑照明工程资料

本案例为2013阿拉丁神灯奖工程类参评项目——郑州会展宾馆。郑州会展宾馆项目位于郑东新区cbD中心湖南侧,总高度为280米,总建筑面积约24万平方米,总投资约22亿元,地下3

  https://www.alighting.cn/resource/2013/4/26/173221_24.htm2013/4/26 17:32:21

mocvD外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvD)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

【阿拉丁】西安站-leD灯具与建筑幕墙的结合

leD照明灯具与建筑立面幕墙的结合:1、灯具安装于立柱正面两边 2、灯具安装整齐划一,不能影响外立面建筑美观 3、根据现场实际情况,解决灯具连接线隐藏问题

  https://www.alighting.cn/resource/2013/4/23/10317_11.htm2013/4/23 10:31:07

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