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行接口与显示模块连接。当系统需要访问该接口控制电路时,只需将Mpu的数据口与系统数据线相连即可。该系统驱动程序包括初始化、清raM和显示3部
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125579.htm2013/5/22 13:22:27
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μM的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μM的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μM的Mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μM×25μM的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
文章浅析了led驱动器的输出纹波和噪声,给出常见的3种测量方法,通过比较分析确定准确的测量方法。
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125600.htm2013/5/15 14:25:54
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afM),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
8 Mv的基准电压电路的设计过程和仿真结果,设计了一种基于双极型、互补型、双扩散金属氧化物半导体(bcd)1.6μM工艺的功率led照明驱动芯片以验证低反馈电阻技术.系统仿真结果表明
https://www.alighting.cn/resource/20130510/125619.htm2013/5/10 10:28:08
0 nM.与无腔器件相比,微腔器件光谱半峰全宽(fwhM)从92 nM压缩为32 nM,色度从x=0.58,y=0.41改善为x=0.6,y=0.4,微腔器件的最大发光效率为3 .
https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11
采用0.35μM双栅标准cMos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
