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陶瓷3535 rgbw灯珠——2018神灯奖申报技术

陶瓷3535 rgbw灯珠,为苏州晶品新材料股份有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180108/154643.htm2018/1/8 9:52:40

科锐推出封装型1700v碳化矽肖特二极管

科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化矽肖特二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120206/122771.htm2012/2/6 10:01:21

晶能光电发布新一代硅大功率led芯片

日前,晶能光电(江西)有限公司新一代硅大功率led芯片产品发布会在广州举行,这标志着南昌高新区光电企业在led技术领域又取得一项重大进展。

  https://www.alighting.cn/news/20120619/113407.htm2012/6/19 9:42:10

合肥彩虹蓝光高亮度氮化镓led外延片试产成功

合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓led外延片的一次试产成功。

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51

epiGaN 成功调试爱思强mocvd,用于量产6英寸硅氮化镓晶片

n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅氮化镓晶片,以及开发新一代200 毫米硅氮化镓晶

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49

首尔半导体与第吉公司签订全球销售合同

led企业首尔半导体称,3月8日与电子元器件流通企业第吉公司签订全球销售合同。第吉公司是流通多种工程、设备行业正在使用的综合电子元器件的企业,通过与首尔半导体的协议,签订了流

  https://www.alighting.cn/news/20100310/120476.htm2010/3/10 0:00:00

sizno/ga_2o_3氨化反应制备GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

2011年GaN led市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN led营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

非极性GaN用r面蓝宝石衬底

采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底本性能参数如下

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

iqe收购英国GaN新创企业nanoGaN

对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。

  https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00

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