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半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。
https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
采用440 nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
首尔半导体采用“acriche”技术的gu10照明灯具通过elgo公司的市场推广，在欧洲市场赢得了良好的反响。而elgo公司是欧洲领先的照明企业之一
https://www.alighting.cn/resource/20090716/128717.htm2009/7/16 0:00:00
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
当二极体发生电流击穿时，只要击穿电流还未到达雪崩击穿所需的电流时，二极体并不损坏，而且使二极体反向电压固定在一个特定值上。当加在二极体两端的方向电压消失后二极体会自动恢復，不会损
https://www.alighting.cn/resource/20100712/128342.htm2010/7/12 14:43:02
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
根据led半导体照明的特殊要求,分析了led半导体照明灯具在光学、热学、电学方面的特性,探讨了led半导体照明灯具在高速公路收费站车道照明方面的应用优势。
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127284.htm2011/8/19 16:37:41
