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测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
比钟楼楼基大738.55平方米，通高34米，雄杰秀丽不亚于钟楼。古时楼上悬挂一面大鼓，傍晚时击鼓向全城居民报时，故称鼓楼主持修建鼓楼的有长兴侯耿炳文、西安知府王宗周等人，据说是在微
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2015/3/2/365982.html2015/3/2 8:44:16
对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
台湾光电协进会(pida)表示，led防爆灯具产值至2020年可达2.48亿美元(折合人民币约15.5亿元)规模。
https://www.alighting.cn/news/20150217/82847.htm2015/2/17 11:41:52
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
产的高科技企业。公司硅衬底led芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基led器件，结合了具有自主知识产权的高效GaN外延技术和芯片技术，是目前全球唯一可以量产硅衬
http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
