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在天花板上犹如一颗颗彩色晶体，无论是外观还是颜色，都让人眼前一
https://www.alighting.cn/case/2014/9/29/17170_37.htm2014/9/29 17:17:00
当高科超薄晶体霓虹发光片的两极间通电后，发光层内就建立了电场，电子在电场的作用下逆电场方向加速运动，当电场强度足够强，运动状态电子数量足够多，速度足够快时，通过碰撞，发光材料电
https://www.alighting.cn/resource/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58
器件(见图)代替标准led。闪烁led被用来设置 “被控”标准led闪烁的频率。当闪烁led导通时，晶体管通过47欧姆电阻感应通过它的电流。然后，晶体管的集电极电流驱动标准le
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133792.html2011/2/19 22:52:00
https://www.alighting.cn/news/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58
与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术，但具体细节没有被披露。
https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00
