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全球led设备资本支出回温 led产业春燕归

根据最新的semi全球晶圆厂预估报告指出,光电及led晶圆厂支出预计将稳定成长,虽然2013年全球led设备支出下降23%,但预计2014年将呈现反弹趋势,整体led设备市场将突

  https://www.alighting.cn/news/20140320/97989.htm2014/3/20 10:33:10

GaN基低色温高显色白光led

采用440nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。

  https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55

si衬底GaN基蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

中国GaN led生产数量年平均增长大

中国led市场规模2006年达到146亿人民币,1997年至2006年年平均成长率为29%,预期2010年将成长至320亿人民币。

  https://www.alighting.cn/news/20071129/106652.htm2007/11/29 0:00:00

首尔半导体展出利用GaN晶体非极性面的白色led

韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料,实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高

  https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35

GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管

ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低,导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近,mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光

  https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40

ito表面粗化提高GaN基led芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00

高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

人体模式静电对GaN 基蓝光led载流子运动及其可靠性的影响

静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34

中村修二:看好ld激光照明与GaN基板发展

中村修二此行分享了他在研发蓝光led与后续在led方面的心路历程与成果,以及提供他对未来led产业、ld产业发展的分析洞见。

  https://www.alighting.cn/news/20150410/84296.htm2015/4/10 9:36:19

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