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虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
semi产业研究部资表示：2011年全球半导体设备支出仍可维持稳健的成长，预估2010年台湾将以77亿美元的晶圆厂资本支出金额位居全球半导体设备支出之冠，韩国以74亿美元次之。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127989.htm2010/7/12 17:01:09
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上GaN基led专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55
与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
高亮度led的主要用途包括车灯、信号灯以及背光显示等。虽然高亮度led的成本较高，但其优越性使led应用还是可以接受。高亮度发led也具有用于普通照明的潜力。为使高亮度led的成本
https://www.alighting.cn/resource/20100104/129011.htm2010/1/4 0:00:00
由于新应用范围激发的驱动, led 技术快速地进步。用于笔记本电脑、桌上型电脑显示器和大屏幕电视的背光装置是当今高亮度led的关键应用,为将要制造的大量led创造需求。除了数量方面
https://www.alighting.cn/resource/20091119/128753.htm2009/11/19 0:00:00
