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采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
近日，关于sic功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家sic基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～10
https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25
在si衬底GaN基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
略和发展新出路、led照明企业外销转内销以及未来led照明新技术等五大热点话题分别展开了主题演讲。 本次峰会最后，香港科技大学深圳研究生院常务副院长李世玮对led晶圆级封装技术趋势与企
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/28/326710.html2013/9/28 14:21:30
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
《led芯片制作》分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28
n》，介绍目前在晶圆级封装远程荧光粉涂覆技术的研究情况，获得热烈反响。（主任李世玮教授作主题报告） 会议共发表论文近300篇。其中，中心制程工程师邹华勇发表论文“experimenta
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/9/325551.html2013/9/9 14:13:01
GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完
https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55
semi(国际半导体设备材料产业协会)于近期指出，全球半导体市场将稳定成长，2013年半导体设备资本支出预估与2012年相当，2014年半导体设备资本支出则可望回到439.8亿美元
https://www.alighting.cn/news/20130904/88004.htm2013/9/4 15:42:21
据报道，德国半导体制造商azzurro展示了‘1-bin’波长的led晶圆，该技术可以做到少于3nm波长一致性生产数值，并在开发中得到1nm的结果。该公司表示，该破纪录的1nm成
https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19
