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p层厚度对si基gaN垂直结构led出光的影响

面金属反射镜与量子阱层的间距对led出光效率的影响,并采用f-p干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λN处和

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

拉力试验机

.100k.200k.300k.500k.600k 三、最大负荷:100N,200N,500N,1000N,2000N,5000N,10000N,20000N,600kN

  http://blog.alighting.cn/zhongbaowj/archive/2010/5/22/45275.html2010/5/22 14:59:00

生产试验指、针、销

款制作而成。 2. 试验直指是进行家用和类似问题用途电器防触电保护试验的必备器具. 3.施加压力:10N,20N,30N,40N,50N,75N.五.试验探棒产品说明:符合gb494

  http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/7/26/57841.html2010/7/26 14:34:00

led灯饰照明颜色

有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入p区,空穴由p区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发

  http://blog.alighting.cn/www.msd-led.cn/archive/2012/11/6/296365.html2012/11/6 11:13:17

推荐深圳斯迈得cobf38 led灯丝系列角逐神灯奖

单位名称:深圳市斯迈得光电子有限公司  产品名称:cobf38 led灯丝系列  产品型号:  sl-cf26-2601i80-c  sl-cf38-2601N8

  http://blog.alighting.cn/169607/archive/2014/3/25/349664.html2014/3/25 14:39:06

ti推出高功率多拓朴驱动器

该 tps92690 是一款支援低侧电流感应的 N 通道 mosfet 控制器,支援升压或升降压led驱动器拓朴,如sepic、cuk、返驰式拓朴

  https://www.alighting.cn/pingce/20130812/121756.htm2013/8/12 10:24:41

总结心得

为你好的人是会指出你的缺点的,虽然偶做不了十全十美的人,但是发现了的问题就得改改,改正是一种进步。自身的缺点发现了N多年了,就是改不了,我自认为不懒散,也知道上进和独立吼,唯独就

  http://blog.alighting.cn/136zhen/archive/2009/3/13/2587.html2009/3/13 12:46:00

凌力尔特发表可驱动高亮度led的100v电流控制器

N通道金属氧化物半导体场效电晶体(mosfet),并可从标称12伏特输入提供达85伏特的白光led,功率超过50

  https://www.alighting.cn/pingce/20120509/122434.htm2012/5/9 10:49:56

安森美推出用于led前大灯控制及数据传输的集成电路器件

化下一代汽车设计。公司还推出单N沟道mosfet,能提供令人难以置信的低导通电阻值,从而最大限度地减少导通损耗,并提高整体工作能效水

  https://www.alighting.cn/pingce/20150806/131590.htm2015/8/6 10:27:43

亿光6-piN sdip光电耦合器 适合具空间限制的工业应用

输速度各别为1mbit/s及10mbit/s,其外型尺寸精巧,减少到仅有6N13x系列(8piN)的一半大小,因而适合有空间限制的工业应用使

  https://www.alighting.cn/pingce/20151218/135410.htm2015/12/18 9:31:44

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