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早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、si）上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00
d。 1923年科学家罗塞夫（lossewo.w.）发现半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体p－n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00
后壳与前壳的3颗连接螺栓，均衡施力旋下后壳，注意用力不均易造成后壳卡死。更换新灯泡后，注意把后壳均衡用力插到前壳内慢慢推入，要求密封圈一定在沟槽内。在后壳与前壳完全合位时打上3颗螺
http://blog.alighting.cn/baitxgu00/archive/2008/10/28/11402.html2008/10/28 9:28:00
美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
板以及「白色led的发光方式」。导光板采用将圆锥上端略微削去一部分的形状。为了使侧面（圆锥面）整体发光，在该侧面的整个面上形成了沟
https://www.alighting.cn/news/20080821/94450.htm2008/8/21 0:00:00
定。5、更换灯泡时，用m8内六角扳手松开后壳与前壳的3颗连接螺栓，均衡施力旋下后壳，注意用力不均易造成后壳卡死。更换新灯泡后，注意把后壳均衡用力插到前壳内慢慢推入，要求密封圈一定在沟
http://blog.alighting.cn/aimeiwolf/archive/2008/7/31/116.html2008/7/31 10:31:00
轴向槽道热管一般称为钩槽热管。是指在管壳内壁开轴向细槽以提供毛细压头及液体过流通道，槽的截面形状可为矩形，梯形，圆形及变截面槽道，槽道式管芯虽然毛细压头较小，但液体流动阻力甚小，因
http://blog.alighting.cn/heatpipe/archive/2008/5/17/9.html2008/5/17 22:07:00
2007年12月11日，道康宁化合物半导体解决方案（dccss）业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发SiC材料技术。
https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00
色 led， 发光效率可达到了25lm/w。目前，这类led的发光效率正以每年10%-20%的速度提高。 美国的gree公司 采用热导率较高的SiC衬底生产ingan 蓝色和绿
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
