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电子电路中常用的器件包括:电阻、电容、二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、 发光二极管、蜂鸣器、各种传感器、芯片、继电器、变压器、压敏电阻、保险丝、光耦、滤 波器、接插件、电
https://www.alighting.cn/resource/2012/7/3/15736_62.htm2012/7/3 15:07:36
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲,本文主要围绕着硅衬底的led技术展开,到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
以达到3000:1,为了满足更高的效率要求,设计了无采样电阻的控制电路,减少了外围的器件并提高了系统的效率。芯片在1.5μm bcd工艺下设计并流片,最后给出了各种工作模式下的测试结
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/20/10249_82.htm2012/6/20 10:24:09
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/19/165436_92.htm2012/6/19 16:54:36
摘要:结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/4/17131_07.htm2012/6/4 17:13:01
导读:大功率led器件的生产,需要制备合适的大功率led芯片,本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/20/214917_67.htm2012/5/20 21:49:17
结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
大功率led器件的生产,需要制备合适的大功率led芯片,本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04