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三菱化学将量产白色led用GaN基板

三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(GaN)基板。

  https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19

大功率led典型热沉结构散热性能分析

当前众多led路灯示范工程中大部分采用全铝热沉作为二次热沉散热结构。随着微热管技术的发展及led器件功率的增大,微热管技术已经越来越多地应用到led器件的二次热沉散热结构中。为

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/14/135759_44.htm2011/9/14 13:57:59

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(上)

GaN(氮化镓)作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00

专家分析:我国led企业发展与现状困难

动应用企业与led器件供应商的沟通与合

  https://www.alighting.cn/news/20110914/86212.htm2011/9/14 11:38:55

三菱化学将量产白色led用GaN基板

据报导,为了让照明用led进一步普及,三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10,达每平方公分1,000日圆的水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05

三安光电GaN基薄膜led获美国专利证书

三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率,有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32

美科学家研制新的氮化镓—锑合金,让光电催化水解制氢更快捷

科学家们在美国能源部的资助下,借用最先进的理论计算证明,在氮化镓(GaN)化合物中,2%的氮化镓由锑(sb)替代,这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳

  https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07

半导体室内照明应用技术取得重大进展

在采用国产芯片和荧光粉材料基础上,该课题通过led器件、驱动电路、二次光学与高效散热系统的集成技术研究,提升了非定向led光源在有限体积内的散热能力和出光均匀性;通过光学模拟软

  https://www.alighting.cn/news/2011913/n183134438.htm2011/9/13 9:32:01

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

粤陕首开跨省led产学研对接先河,促led科技创新

以科技为支撑,突破产业发展瓶颈,加强产学研合作,增进企业创新意识,着力提高我国半导体照明产业核心竞争,广东省科技厅、广东半导体照明工程省部产学研创新联盟联合陕西省科技厅、中国民营科

  https://www.alighting.cn/news/20110909/100219.htm2011/9/9 10:50:12

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