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近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
摘要：结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
结合功率型GaN 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
与sic和GaN相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
镓 GaN)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
https://www.alighting.cn/news/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
ims research 6月发布的上一季度报告中，由于今年上半年供应过剩增加，lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低，GaN le
https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
由于半导体照明产业潜藏着巨大的经济和社会效益，许多国家和地区纷纷制定了发展计划，例如美国“国家半导体照明研究计划”、日本“21世纪光计划”、韩国“GaN半导体开发计划”、欧盟“彩
https://www.alighting.cn/news/20070803/101061.htm2007/8/3 0:00:00
件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。终端产品是led芯片、led灯和照明系统，其亮度堪比当今最好的灯具。le
https://www.alighting.cn/news/20081224/101146.htm2008/12/24 0:00:00
