站内搜索
多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ganled外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
行，使用1片有64行输出的行驱动器和2片列驱动控制器，其中每片列驱动器有64路输出。行驱动器与mcu没有关系，只要提供电源就能产生驱动信号和同步信号，模块的外部信号仅与列驱动器有关。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230345.html2011/7/20 0:19:00
亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
司的白色led裸片开发出迄今为止世界上最小的白色led，其厚度为0．55 mm。nichia公司的非smd型白色led的尺寸为11．2mm(宽)×7．2mm(长)×6mm(高)，寿命
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230340.html2011/7/20 0:16:00
由allegro公司的36片a6b595级联组成，显示屏背面每行数据线由串入并出移位寄存器a6b595级联而成，a6b595片内集成有mos管构成的驱动器，足够驱动发光二极管发光。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230336.html2011/7/20 0:14:00
厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外，还应尽量考虑降低产品制造成本。为此，我们将厚膜电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230332.html2011/7/20 0:12:00
下,提供了完善的片内逻辑互连性能。 (3) orporp提供了glb输出与芯片输出引脚之间灵活的连接途径。 (4) i/o单元每一个i/o单元直接连接到一个i/o引脚。每个i/o都可
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230329.html2011/7/20 0:11:00
高，功耗小。器件可靠性很高。 在中小规模集成电路的系统设计中，有专用的ied译码集成电路可以使用。在片上系统(soc，system onchip)的设计过程中，也会经常用到led显
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230326.html2011/7/20 0:09:00
是由多片太阳能电池连接构成的。它具有负的温度系数，温度每上升一度，缪瓜陆?mv，对于多片太阳能电池组成的太阳能电池组件，这是一个不可忽视的问题。它的输出特性曲线如图1。 图1
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230323.html2011/7/20 0:08:00
d散热能力通常受照封装模式、及使用材质的导热性所影响，热的散逸途径不外乎传导、对流、辐射这3大类，而led的封装材料里积聚的热能，大部分是以传导方散出，所以封装方式和材质选用就相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230324.html2011/7/20 0:08:00
